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LED防爆燈與高亮度芯片發展方向及走勢
作者: admin   來源: 本站   發表時間: 2013-7-11 14:29:43
    高亮度LED主要分為紅外光的GaAs體系和AlGaAs體系,紅、橙、黃、綠色的AlGaInP體系,綠色和藍色的InGaN體系,以及紫外光的GaN和AlGaN體系。其時InGaN體系的藍光光效現已較高,再接洽四元系的紅黃光,現已開端遍及地運用于照明、背光、展現、交通指示燈等領域。紫外光LED有著寬闊的阛阓運用遠景,半導體紫外光源在照明、滅菌、醫療、打印、生化檢測、高密度的信息貯存和保密通訊等領域具有嚴厲運用代價。紅外光LED主要包羅峰值波長從850nm到940nm的紅外LED,遍及運用于遙控器、驅動器、電腦鼠標、傳感器、寧靜設置裝備部署和展現器背光等領域,紅外LED必要連續增長的驅動力主要泉源于家用電器、寧靜體系和無線通訊產品等。

  白光運用是藍光LED芯片的緊張阛阓,也是最為緊張的開展偏向,其選用藍光芯片加YAG黃色熒光粉然后組成白光光源。其時,天下LED大廠在大功率藍光芯片方面有著較為明顯的上風,而海內LED芯片公司其時主要是在中小功率藍光芯片方面有較大的開展,但由于前幾年的過分出資致使了產能過剩,致使中小功率藍光芯片阛阓出現了較為嚴厲的“代價戰”。關于藍光LED芯片而言,主要的開展偏向為硅基LED防爆燈炷片、高壓LED芯片、倒裝LED芯片等。關于中小功率LED芯片阛阓而言,其時干流阛阓的趨向為0.2-0.5W阛阓,封裝要領包羅2835、5630以及COB封裝等。關于別的細分領域,如筆挺結構的芯片,封裝后可以大概運用于指向性照明運用,如手電、礦燈、閃光燈、射燈等燈具產品中。http://hengshuilide.com

 

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